(2)高密度夾雜。常常是熔煉時(shí)夾雜了W、Mo等高熔點(diǎn)金屬造成的。它是自耗爐熔煉無法克服的冶金缺陷。為了避免高密度夾雜，熔煉時(shí)要嚴(yán)格控制它們可能的帶人途徑，或者采用冷床爐熔煉。
(3)低密皮夾雜。常常是熔煉時(shí)氣體偏析，夾雜廠鈦的氧化物和氮化物．如T5N造成的。它也是自耗爐熔煉無法克服的冶金缺陷。因此，工藝中常府該采取措施防止氣體的偏析，或者采用冷床爐熔煉。
(4)鈦合金成分的偏析。這是鈦合金錠在熔煉時(shí)常見的缺陷j造成這一缺陷的原因是鈦和添加的合金元素的沸點(diǎn)(及熔點(diǎn))相差很大。這也足熔煉的必然規(guī)律。為了避免鈦合金的偏析，熔煉時(shí)工藝上采用有針對(duì)的措施加以克服，盡量降低偏析。因此，在丁藝中常采用下列措施：
1)易揮發(fā)組元偏析。如鈦合金中的錳，真空熔煉時(shí)大量揮發(fā)，部分排出爐外，大部分富集在錠四周和頂部，造成偏析。二次熔煉后的TC1錠，表層含錳比中心高達(dá)15倍。其他易揮發(fā)組元也有類似現(xiàn)象。消除這類偏析主要措施是充氬熔煉，采用中間合金配料，必要時(shí)提高配入量彌補(bǔ)損失。
2)低熔點(diǎn)組元偏折。如添加大旦錫的鈦合金，錫的熔點(diǎn)低，進(jìn)入熔區(qū)前即被熔化，提前進(jìn)人熔池造成無規(guī)律的錫星偏析。消除此類偏析的主要措施是采用含錫的個(gè)間合眾配料、在電極制備時(shí)防止低熔點(diǎn)元素外露并小段隔開，或電極配料時(shí)有意配成上段高、下段低予以彌補(bǔ)，們較難控制，可靠性也差。
3)高熔點(diǎn)、高密度合金組元。由于熔煉溫度低于該組元熔點(diǎn)，添加的該紀(jì)元易呈同態(tài)掉入熔池，而熔池的溫度或在熔池中停留時(shí)間短，不足以將其合金化造成偏析或夾雜，含鉑或鋁高的鈦合金常易出現(xiàn)這類偏析。消除措施主要是采用中間合合配料或使用較紉顆粒的高熔點(diǎn)元素等。
4)氧等雜質(zhì)偏折。選用雜質(zhì)含量多的鈦料，設(shè)備泄漏，混料不均勻，或焊接電極時(shí)保護(hù)不良，會(huì)導(dǎo)致氧等偏析，甚至災(zāi)雜。消除這種偏折的措施是嚴(yán)格選料，嚴(yán)格操作工藝制度。